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IRF7757TR

IRF7757TR

僅供參考

型號 IRF7757TR
PNEDA編號 IRF7757TR
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7757TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7757TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF7757TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1340pF @ 15V
功率-最大1.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

功率-最大

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