IRFR224BTM_TC002數據表
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ON Semiconductor
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IRFR224BTM_TC002, FQU10N20TU_AM002
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.1Ohm @ 1.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 450pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 360mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 670pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2.5W (Ta), 51W (Tc) 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
