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FQU10N20TU_AM002

FQU10N20TU_AM002

僅供參考

型號 FQU10N20TU_AM002
PNEDA編號 FQU10N20TU_AM002
描述 MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU10N20TU_AM002資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU10N20TU_AM002
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU10N20TU_AM002, FQU10N20TU_AM002數據表 (總頁數: 214, 大小: 3,982.36 KB)
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FQU10N20TU_AM002規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds670pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 51W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

690mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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