KSE5740TU數據表
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ON Semiconductor
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 300V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 3V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 4A, 5V 功率-最大 80W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 350V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 3V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 4A, 5V 功率-最大 80W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極(Ic)(最大值) 8A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 400V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 3V @ 400mA, 8A 當前-集電極截止(最大值) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 4A, 5V 功率-最大 80W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |