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KSE5741TU

KSE5741TU

僅供參考

型號 KSE5741TU
PNEDA編號 KSE5741TU
描述 TRANS NPN DARL 350V 8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSE5741TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSE5741TU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
KSE5741TU, KSE5741TU數據表 (總頁數: 5, 大小: 49.39 KB)
PDFKSE5740TU數據表 封面
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KSE5741TU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)350V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 400mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 4A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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包裝/箱

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOT-523

MMBT3904LP-7

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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