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M68AW512ML70ND6數據表

M68AW512ML70ND6數據表
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STMicroelectronics
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M68AW512ML70ND6

STMicroelectronics

M68AW512ML70ND6

制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字，頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II