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M68AW512ML70ND6

M68AW512ML70ND6

僅供參考

型號 M68AW512ML70ND6
PNEDA編號 M68AW512ML70ND6
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 30 - 十月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M68AW512ML70ND6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M68AW512ML70ND6
類別半導體內存IC內存
數據表
M68AW512ML70ND6, M68AW512ML70ND6數據表 (總頁數: 18, 大小: 125.16 KB)
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M68AW512ML70ND6規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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EEPROM

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

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-40°C ~ 85°C (TA)

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