MB85R256FPF-G-BND-ERE1數據表
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Fujitsu Electronics
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MB85R256FPF-G-BND-ERE1
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制造商 Fujitsu Electronics America, Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FRAM 技術 FRAM (Ferroelectric RAM) 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 150ns 訪問時間 150ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 供應商設備包裝 28-SOP |
