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MB85R256FPF-G-BND-ERE1

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

僅供參考

型號 MB85R256FPF-G-BND-ERE1
PNEDA編號 MB85R256FPF-G-BND-ERE1
描述 IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
制造商 Fujitsu Electronics
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 21 - 三月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85R256FPF-G-BND-ERE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85R256FPF-G-BND-ERE1
類別半導體內存IC內存
數據表
MB85R256FPF-G-BND-ERE1, MB85R256FPF-G-BND-ERE1數據表 (總頁數: 36, 大小: 1,697.98 KB)
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MB85R256FPF-G-BND-ERE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁150ns
訪問時間150ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝28-SOP

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Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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