NTR5103NT1G數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 260mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.81nC @ 5V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 40pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 300mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
