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NTR5103NT1G

NTR5103NT1G

僅供參考

型號 NTR5103NT1G
PNEDA編號 NTR5103NT1G
描述 MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 877,854
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTR5103NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTR5103NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTR5103NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)260mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.81nC @ 5V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds40pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

16V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

568mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

89W (Tc)

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