QS8J1TR數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 29mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 31nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2450pF @ 6V 功率-最大 1.5W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 TSMT8 |
