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QS8J1TR

QS8J1TR

僅供參考

型號 QS8J1TR
PNEDA編號 QS8J1TR
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8J1TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8J1TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS8J1TR, QS8J1TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 184.39 KB)
PDFQS8J1TR數據表 封面
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QS8J1TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2450pF @ 6V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 15µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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