R1LP0408DSB-5SI#B0數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 32-TSOP II |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 32-TSOP II |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 供應商設備包裝 32-SOP |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 供應商設備包裝 32-SOP |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 32-TSOP II |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (512K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 32-TSOP II |
