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R1LP0408DSB-5SI#S0

R1LP0408DSB-5SI#S0

僅供參考

型號 R1LP0408DSB-5SI#S0
PNEDA編號 R1LP0408DSB-5SI-S0
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LP0408DSB-5SI#S0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LP0408DSB-5SI#S0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LP0408DSB-5SI#S0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

40-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

40-PDIP

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Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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