SI4632DY-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 40A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.6V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 161nC @ 10V Vgs(最大) ±16V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 11175pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 25V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 40A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.6V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 161nC @ 10V Vgs(最大) ±16V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 11175pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |