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SI4632DY-T1-E3

SI4632DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4632DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4632DY-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4632DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4632DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SI4632DY-T1-E3, SI4632DY-T1-E3數據表 (總頁數: 7, 大小: 105 KB)
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SI4632DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs161nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11175pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

462mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

390mOhm @ 6A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 15V

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