TPC8213-H(TE12LQ數據表
TPC8213-H(TE12LQ數據表
總頁數: 7
大小: 221.78 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號:
TPC8213-H(TE12LQ,M
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 50mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 625pF @ 10V 功率-最大 450mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) |
