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TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

僅供參考

型號 TPC8213-H(TE12LQ,M
PNEDA編號 TPC8213-H-TE12LQ-M
描述 MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8213-H(TE12LQ資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8213-H(TE12LQ,M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TPC8213-H(TE12LQ, TPC8213-H(TE12LQ數據表 (總頁數: 7, 大小: 221.78 KB)
PDFTPC8213-H(TE12LQ數據表 封面
TPC8213-H(TE12LQ數據表 頁面 2 TPC8213-H(TE12LQ數據表 頁面 3 TPC8213-H(TE12LQ數據表 頁面 4 TPC8213-H(TE12LQ數據表 頁面 5 TPC8213-H(TE12LQ數據表 頁面 6 TPC8213-H(TE12LQ數據表 頁面 7

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TPC8213-H(TE12LQ規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds625pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)

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18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 98µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 15V

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