VMO650-01F數據表
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制造商 IXYS 系列 HiPerFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 690A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.8mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 6V @ 130mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2300nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 59000pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 2500W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 Y3-DCB 包裝/箱 Y3-DCB |
