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VMO650-01F

VMO650-01F

僅供參考

型號 VMO650-01F
PNEDA編號 VMO650-01F
描述 MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VMO650-01F資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VMO650-01F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
VMO650-01F, VMO650-01F數據表 (總頁數: 2, 大小: 46.62 KB)
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VMO650-01F規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)690A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 130mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2300nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds59000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2500W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝Y3-DCB
包裝/箱Y3-DCB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9895pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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