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描述
庫存
數量
2N4857
2N4857

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500/385
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 100mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 6V @ 500pA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 18pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): 40 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存2,348
2N4856
2N4856

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500/385
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 175mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 10V @ 500pA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 18pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): 25 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存1,073
2N4091
2N4091

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500/431
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 30mA @ 20V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 16pF @ 20V
  • 電阻-RDS(On): 30 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存2,736
2N3823
2N3823

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500/375
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 30V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 20mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 8V @ 500pA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 6pF @ 15V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 300mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-72
庫存288
2N5114
2N5114

Microsemi

晶體管-JFET

P CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500
  • FET類型: P-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 30V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 90mA @ 18V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 10V @ 1nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 25pF @ 15V
  • 電阻-RDS(On): 75 Ohms
  • 功率-最大: 500mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)
庫存48
2N4092
2N4092

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500/431
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 15mA @ 20V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 16pF @ 20V
  • 電阻-RDS(On): 50 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存190
2N4391
2N4391

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: *
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 50mA @ 20V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 4V @ 1nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 14pF @ 20V
  • 電阻-RDS(On): 30 Ohms
  • 功率-最大: 1.8W
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存157
2SK208-Y(TE85L,F)
2SK208-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 50V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: 6.5mA
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 400mV @ 100nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 100mW
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: S-Mini
庫存18,784
2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V SC59

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 50V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 600µA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: 6.5mA
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 400mV @ 100nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 100mW
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存8,105
JANTX2N4092
JANTX2N4092

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 15mA @ 20V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 16pF @ 20V
  • 電阻-RDS(On): 50 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存143
JANTX2N4093UB
JANTX2N4093UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 8mA @ 20V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 16pF @ 20V
  • 電阻-RDS(On): 80 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
  • 供應商設備包裝: UB
庫存218
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 200mV @ 100nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 13pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 300mW
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
  • 供應商設備包裝: SMV
庫存823
PMBFJ110,215

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 25V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 10mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 4V @ 1µA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
  • 電阻-RDS(On): 18 Ohms
  • 功率-最大: 250mW
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
庫存49,990
PMBF4393,215

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 40V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 5mA @ 20V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 500mV @ 1nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 14pF @ 20V
  • 電阻-RDS(On): 100 Ohms
  • 功率-最大: 250mW
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
庫存1,352
2SK208-GR(TE85L,F)
2SK208-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V SC59

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 50V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 2.6mA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: 6.5mA
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 400mV @ 100nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 100mW
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存279,731
2SK879-Y(TE85L,F)
2SK879-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 0.1W USM

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 1.2mA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 400mV @ 100nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 100mW
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: USM
庫存392,380
2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 0.1W USM

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 2.6mA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 400mV @ 100nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 100mW
  • 工作溫度: 125°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: USM
庫存32,949
PMBFJ309,215

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 25V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 25V
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 12mA @ 10V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 1V @ 1µA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 5pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On): 50 Ohms
  • 功率-最大: 250mW
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)
庫存9,592
2N5116
2N5116

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 30V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 5mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 1V @ 1nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 25pF @ 15V
  • 電阻-RDS(On): 150 Ohms
  • 功率-最大: 500mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存1,336
2N4858A
2N4858A

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W TO-18

  • 制造商: Central Semiconductor Corp
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 8mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 800mV @ 0.5nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
  • 電阻-RDS(On): 60 Ohms
  • 功率-最大: 360mW
  • 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 供應商設備包裝: TO-18
庫存505
MMBF5103
MMBF5103

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS): 40V
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0): 10mA @ 15V
  • 電流消耗(Id)-最大: -
  • 電壓-截止(VGS關閉)@ ID: 1.2V @ 1nA
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 16pF @ 15V
  • 電阻-RDS(On): -
  • 功率-最大: 350mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SOT-23-3
庫存23,250
PZM5.1NB2,115

齊納二極管-單

DIODE ZENER 5.1V 300MW SMT3

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 5.1V
  • 公差: ±2%
  • 功率-最大: 300mW
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 60 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 3µA @ 1.5V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.1V @ 100mA
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SMT3; MPAK
庫存1,762
BZX284-C6V2,135

齊納二極管-單

DIODE ZENER 6.2V 400MW SOD2

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 6.2V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: 400mW
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 10 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 3µA @ 4V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.1V @ 100mA
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOD-110
  • 供應商設備包裝: SOD110
庫存276
BZX284-C5V6,135

齊納二極管-單

DIODE ZENER 5.6V 400MW SOD2

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 5.6V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: 400mW
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 40 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 2V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.1V @ 100mA
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOD-110
  • 供應商設備包裝: SOD110
庫存96,331
NZ9F3V6T5G
NZ9F3V6T5G

ON Semiconductor

齊納二極管-單

DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD923

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 3.6V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: 200mW
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 100 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 1V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 900mV @ 10mA
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOD-923
  • 供應商設備包裝: SOD-923
庫存5,347
BZG03C180TR3
BZG03C180TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

齊納二極管-單

DIODE ZENER 1.25W DO214AC

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 180V
  • 公差: -
  • 功率-最大: 1.25W
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 400 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 130V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.2V @ 500mA
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: DO-214AC, SMA
  • 供應商設備包裝: DO-214AC
庫存1,724
1N4753A-T
1N4753A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

齊納二極管-單

DIODE ZENER 1.3W DO41

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 36V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: 1.3W
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 1 kOhms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 27.4V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.2V @ 200mA
  • 工作溫度: 175°C
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: DO-204AL, DO-41, Axial
  • 供應商設備包裝: DO-41
庫存4,062
1N4742A-T
1N4742A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

齊納二極管-單

DIODE ZENER 1.3W DO41

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 12V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: 1.3W
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 700 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 9.1V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.2V @ 200mA
  • 工作溫度: 175°C
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: DO-204AL, DO-41, Axial
  • 供應商設備包裝: DO-41
庫存24,314
1N4735A-T
1N4735A-T

Vishay Semiconductor Diodes Division

齊納二極管-單

DIODE ZENER 1.3W DO41

  • 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 6.2V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: 1.3W
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 700 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 3V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: 1.2V @ 200mA
  • 工作溫度: 175°C
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: DO-204AL, DO-41, Axial
  • 供應商設備包裝: DO-41
庫存53,452
JANTX1N823-1
JANTX1N823-1

M/A-Com Technology Solutions

齊納二極管-單

DIODE ZENER 6.2V DO35

  • 制造商: M/A-Com Technology Solutions
  • 系列: Military, MIL-PRF-19500/127
  • 電壓-齊納(額定)(Vz): 6.2V
  • 公差: ±5%
  • 功率-最大: -
  • 阻抗(最大值)(閽zt): 15 Ohms
  • 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 3V
  • 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果: -
  • 工作溫度: -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
  • 供應商設備包裝: DO-35
庫存16