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型號	描述	庫存
CSD87353Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3190pF @ 15V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存2,941
CSD86350Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 12.5V 功率-最大: 13W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存102,906
CSD87588N Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 736pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-XFLGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)	庫存2,643
2N4341 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET IC JUNCTION FET N-CH TO-18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 3mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 325mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存205
BF246A Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET SCR 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,730
2N4391 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: 100pA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存105
2N5116 Microsemi	晶體管-JFET P CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500 FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 175 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存881
2N4093 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/431 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 80 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存61
2N3822 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/375 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存195
2N5460 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存11,344
2SK3320-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET DUAL N-CH USV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: USV	庫存11,200
U310-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 25V TO-52 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存3,128
U291 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 7 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存28
2N5116 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 30V TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存2,236
2N5114 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存67
2N4391 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存99
2N4338 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存1,825
2N4119A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存2,377
2N4118A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存19,584
MMBF5461 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存11,603
MMBF4119 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,033
2SK596S-B ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.1pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 供應商設備包裝: 3-SPA	庫存20,035
J111RLRAG ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,436
FJZ594JCTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-623F 供應商設備包裝: SOT-623F	庫存34,934
FJX597JBTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)	庫存83,298
FJX597JCTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W SOT323 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)	庫存59,355
BF246A ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存1,703
2N5460 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,960
PMBFJ620,115 NXP	晶體管-JFET JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 190mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-TSSOP	庫存12,304
PMBFJ109,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存1

CSD87353Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3190pF @ 15V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存2,941

CSD86350Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 12.5V
功率-最大: 13W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存102,906

CSD87588N

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 736pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-XFLGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)

庫存2,643

2N4341

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

IC JUNCTION FET N-CH TO-18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 3mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 325mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存205

BF246A

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

SCR

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,730

2N4391

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: 100pA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存105

2N5116

Microsemi

晶體管-JFET

P CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 175 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存881

2N4093

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/431
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 80 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存61

2N3822

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/375
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存195

2N5460

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.31W TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存11,344

2SK3320-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET DUAL N-CH USV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: USV

庫存11,200

U310-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 25V TO-52

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存3,128

U291

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 7 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存28

2N5116

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存2,236

2N5114

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存67

2N4391

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存99

2N4338

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存1,825

2N4119A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存2,377

2N4118A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存19,584

MMBF5461

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存11,603

MMBF4119

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,033

2SK596S-B

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW SPA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.1pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72
供應商設備包裝: 3-SPA

庫存20,035

J111RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,436

FJZ594JCTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT623F

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-623F
供應商設備包裝: SOT-623F

庫存34,934

FJX597JBTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)

庫存83,298

FJX597JCTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W SOT323

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70 (SOT323)

庫存59,355

BF246A

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存1,703

2N5460

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,960

PMBFJ620,115

NXP

晶體管-JFET

JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 190mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-TSSOP

庫存12,304

PMBFJ109,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存1

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