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JANTX2N3442

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 140V 10A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/307
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 140V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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JANTX2N1486

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 3A TO-8

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/180
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 40mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 750mA, 4V
• 功率-最大: 1.75W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-8

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JAN2N1482

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 55V 1.5A TO-5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/207
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 5µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 200mA, 4V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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2N5578

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TO-66

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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FMB100

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.5A SSOT-6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 5V
• 功率-最大: 700mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: SuperSOT™-6

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JANTX2N5303

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 20A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/456
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 4A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10A, 2V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTX2N3762

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1.5A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/396
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 900mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 1A, 1.5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39

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BU806

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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2N3703

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BU806

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 60W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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BD240A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 2A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 300µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 30W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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2N5308

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BC213

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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PN4122

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.1A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 25nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 1V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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JANTXV2N2880

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 5A TO59

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/315
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Stud Mount
• 包裝/箱: TO-210AA, TO-59-4, Stud
• 供應商設備包裝: TO-59

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JANSR2N2369AUB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V SMD

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/317
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: UB

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JANS2N3439

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 1A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/368
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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2N6675

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N6377

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N6673

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

PNP TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N706A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JANTXV2N6385

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 10A TO3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/523
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 100mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 3V
• 功率-最大: 6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)

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JANTX2N6287

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/505
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 200mA, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1250 @ 10A, 3V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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JAN2N3792

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 10A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/379
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 2A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 5mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTX2N6547

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 15A TO3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/525
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 5A, 2V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)

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JAN2N3716

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 10A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/408
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 2A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JAN2N3055

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 70V 15A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/407
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 3.3A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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2N5671

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N1701

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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2N6251

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

NPN TRANSISTOR

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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