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IRG4PC40UD-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 160W TO247AD

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: 710µJ (on), 350µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 54ns/110ns
• 測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 42ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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FGH30S150P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1500V 60A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 369nC
• 25°C時的Td（開/關）: 32ns/492ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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IXBX55N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 600A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 55A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 335nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.9µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PLUS247™-3

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IXBH32N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 80A 400W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 400W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXLF19N250A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V 32A 250W I4PAC

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 19A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 15mJ (on), 30mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 1500V, 19A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: i4-Pac™-5 (3 Leads)
• 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

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APT75GP120B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 1042W
• 開關能量: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 320nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/163ns
• 測試條件: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

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IXBH12N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 30A 160W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 62nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.4µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IRGPS60B120KDP

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 105A 595W SUPER247

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 105A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.75V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 595W
• 開關能量: 3.21mJ (on), 4.78mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 340nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 15A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 180ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-274AA
• 供應商設備包裝: SUPER-247™ (TO-274AA)

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IXGH32N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 75A 350W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.3V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 350W
• 開關能量: 11mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 155nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/270ns
• 測試條件: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXGH)

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AIKQ120N60CTXKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IC DISCRETE 600V TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 480A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 833W
• 開關能量: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 772nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/310ns
• 測試條件: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3-46

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IKW75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: TrenchStop™ 5
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.35V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 536W
• 開關能量: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 436nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/275ns
• 測試條件: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 114ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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IRG4PC50FDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 70A 200W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 39A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 190nC
• 25°C時的Td（開/關）: 55ns/240ns
• 測試條件: 480V, 39A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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IRG4PH50UPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 530µJ (on), 1.41mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 160nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/200ns
• 測試條件: 960V, 24A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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2SK3902(0)-ZK-E1-AY

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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2SJ648-T1-A

Renesas Electronics America

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• FET類型: -
• 技術: -
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 供應商設備包裝: -
• 包裝/箱: -

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IXFN24N100F

IXYS-RF

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

• 制造商: IXYS-RF
• 系列: HiPerRF™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 8mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 195nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 600W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 供應商設備包裝: SOT-227B
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

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JANTXV2N7225

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/592
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27.4A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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JANTXV2N7224

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 34A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/592
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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JANTXV2N6798

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/557
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.07nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-205AF (TO-39)
• 包裝/箱: TO-205AF Metal Can

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JANTXV2N6766

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/543
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3
• 包裝/箱: TO-204AE

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JANTX2N7228U

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/592
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-267AB
• 包裝/箱: TO-267AB

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JANTX2N7228

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/592
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 515mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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JANTX2N7224

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 34A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/592
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-254AA
• 包裝/箱: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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JANTX2N6766

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/543
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3
• 包裝/箱: TO-204AE

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JANTX2N6764

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/543
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 150W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3
• 包裝/箱: TO-204AE

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JANTX2N6758

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH TO-204AA TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/542
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 4W (Ta), 75W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3

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SUD35N05-26L-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 35A TO252

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 35A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 885pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 7.5W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SUD23N06-31L-E3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V TO252

• 制造商: Vishay Siliconix
• 系列: TrenchFET®
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 670pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3W (Ta), 100W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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AOD200

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 14A TO252

• 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 36A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IXFK66N50Q2

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 66A TO-264

• 制造商: IXYS
• 系列: HiPerFET™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 8mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 735W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-264AA (IXFK)
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA

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