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1M130Z R1G

1M130Z R1G

僅供參考

型號 1M130Z R1G
PNEDA編號 1M130Z-R1G
描述 DIODE ZENER 130V 1W DO204AL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1M130Z R1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1M130Z R1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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1M130Z R1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)130V
公差±5%
功率-最大1W
阻抗(最大值)(閽zt)700 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 98.8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)

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62V

公差

±5%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 47.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

7.5V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

6 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

39V

公差

±2%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 30V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.7V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

ALF2

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

3.3V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.65 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

7.5µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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