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1N4152TR

1N4152TR

僅供參考

型號 1N4152TR
PNEDA編號 1N4152TR
描述 DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4152TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4152TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N4152TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 20mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 30V
電容@ Vr,F2pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

SOD-123

工作溫度-結點

125°C (Max)

DL4006-13-F

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF

供應商設備包裝

MELF

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

SS2H10-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

610mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 60V

電容@ Vr,F

145pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 9A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 600V

電容@ Vr,F

280pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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