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1N484B

1N484B

僅供參考

型號 1N484B
PNEDA編號 1N484B
描述 DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N484B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N484B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N484B, 1N484B數據表 (總頁數: 1, 大小: 57.76 KB)
PDF1N484B數據表 封面

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1N484B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)125V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 125V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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SOD-57

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

5000V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

5V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

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