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1N5059TAP

1N5059TAP

僅供參考

型號 1N5059TAP
PNEDA編號 1N5059TAP
描述 DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5059TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5059TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5059TAP, 1N5059TAP數據表 (總頁數: 4, 大小: 135.63 KB)
PDF1N5061TAP數據表 封面
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1N5059TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F40pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-57, Axial
供應商設備包裝SOD-57
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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