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1N5221C-TAP

1N5221C-TAP

僅供參考

型號 1N5221C-TAP
PNEDA編號 1N5221C-TAP
描述 DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 8 - 一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5221C-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5221C-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
1N5221C-TAP, 1N5221C-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 94.8 KB)
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1N5221C-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
電壓-齊納(額定)(Vz)2.4V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

175 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 700mV

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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