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1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

僅供參考

型號 1N5407GHB0G
PNEDA編號 1N5407GHB0G
描述 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5407GHB0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5407GHB0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5407GHB0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F25pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 150V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 0V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

24ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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