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NRVB1045MFST1G

NRVB1045MFST1G

僅供參考

型號 NRVB1045MFST1G
PNEDA編號 NRVB1045MFST1G
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVB1045MFST1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVB1045MFST1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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NRVB1045MFST1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 45V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

35µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

680mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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