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1N914

1N914

僅供參考

型號 1N914
PNEDA編號 1N914_5E
描述 DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 3 - 一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N914資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N914
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N914規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 50mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)20ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 75V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35 (DO-204AH)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 650V

電容@ Vr,F

1000pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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50V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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