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25LC160DT-E/MNY16KVAO

25LC160DT-E/MNY16KVAO

僅供參考

型號 25LC160DT-E/MNY16KVAO
PNEDA編號 25LC160DT-E-MNY16KVAO
描述 16K 32B PAGE 2.5V SER EE
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

25LC160DT-E/MNY16KVAO資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號25LC160DT-E/MNY16KVAO
類別半導體內存IC內存

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25LC160DT-E/MNY16KVAO規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率5MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

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6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-TDFN (2x3)

24LC16BT-I/MNY

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TDFN (2x3)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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