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2N4117A-E3

2N4117A-E3

僅供參考

型號 2N4117A-E3
PNEDA編號 2N4117A-E3
描述 MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4117A-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4117A-E3
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4117A-E3, 2N4117A-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 68.78 KB)
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2N4117A-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)30µA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AF (TO-72)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 0V

電阻-RDS(On)

3 Ohms

功率-最大

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