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2N4339

2N4339

僅供參考

型號 2N4339
PNEDA編號 2N4339
描述 MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $6.3218
250 ---------- $6.0255
500 ---------- $5.7291
1,000 ---------- $5.4328
2,500 ---------- $5.1858
5,000 ---------- $4.9389
庫存 284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4339資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4339
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4339, 2N4339數據表 (總頁數: 7, 大小: 75.44 KB)
PDF2N4339-E3數據表 封面
2N4339-E3數據表 頁面 2 2N4339-E3數據表 頁面 3 2N4339-E3數據表 頁面 4 2N4339-E3數據表 頁面 5 2N4339-E3數據表 頁面 6 2N4339-E3數據表 頁面 7

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  • 2N4339 Distributor

2N4339規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)50V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)500µA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

5V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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