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2N5114

2N5114

僅供參考

型號 2N5114
PNEDA編號 2N5114_243
描述 JFET P-CH 30V TO-206AA
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $31.1968
100 ---------- $29.7344
250 ---------- $28.2721
500 ---------- $26.8098
750 ---------- $25.5911
1,000 ---------- $24.3725
庫存 67
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5114資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5114
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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  • 2N5114 Distributor

2N5114規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AA (TO-18)

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30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 4nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

16mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.9pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

175mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 500pA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

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