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2N5912

2N5912

僅供參考

型號 2N5912
PNEDA編號 2N5912
描述 TRANSISTOR DUAL TO78
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5912資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5912
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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2N5912規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝TO-78-6

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Central Semiconductor Corp

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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安裝類型

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V, 15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA / 200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V / 50 @ 10mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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