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2N7002BKW,115

2N7002BKW,115

僅供參考

型號 2N7002BKW,115
PNEDA編號 2N7002BKW-115
描述 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 1,311,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002BKW資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002BKW,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2N7002BKW, 2N7002BKW數據表 (總頁數: 16, 大小: 719.89 KB)
PDF2N7002BKW數據表 封面
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2N7002BKW規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)310mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)275mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70
包裝/箱SC-70, SOT-323

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.024nF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK (SINGLE GAUGE)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 69A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 85µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

204nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8825pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

450W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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