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2SA1020-Y(T6TOJ,FM

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

僅供參考

型號 2SA1020-Y(T6TOJ,FM
PNEDA編號 2SA1020-Y-T6TOJ-FM
描述 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1020-Y(T6TOJ資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1020-Y(T6TOJ,FM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1020-Y(T6TOJ, 2SA1020-Y(T6TOJ數據表 (總頁數: 5, 大小: 168.44 KB)
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2SA1020-Y(T6TOJ規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

165mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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