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TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

僅供參考

型號 TPC6503(TE85L,F,M)
PNEDA編號 TPC6503-TE85L-F-M
描述 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC6503(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC6503(TE85L,F,M)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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TPC6503(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVII
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic120mV @ 10mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce400 @ 150mA, 2V
功率-最大1.6W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝VS-6 (2.9x2.8)

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70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

115W

頻率-過渡

2.5MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 200mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

850mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

390mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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