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2SCR552P5T100

2SCR552P5T100

僅供參考

型號 2SCR552P5T100
PNEDA編號 2SCR552P5T100
描述 NPN 30V 3A MEDIUM POWER TRANSIST
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 343,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR552P5T100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR552P5T100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SCR552P5T100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡280MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

10V @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 10mV

功率-最大

20W

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70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

6W

頻率-過渡

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 6mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

500mW

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