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2SJ358C(0)-T1-AZ

2SJ358C(0)-T1-AZ

僅供參考

型號 2SJ358C(0)-T1-AZ
PNEDA編號 2SJ358C-0-T1-AZ
描述 TRANSISTOR
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SJ358C(0)-T1-AZ資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SJ358C(0)-T1-AZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SJ358C(0)-T1-AZ規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 50mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

75mV @ 1mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

535mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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25mA (ICBO)

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