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2SK4099LS

2SK4099LS

僅供參考

型號 2SK4099LS
PNEDA編號 2SK4099LS
描述 MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK4099LS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK4099LS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK4099LS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs940mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FI(LS)
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

150°C (TA)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-3P-3L

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

STB70NF03LT4

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

STripFET™ II

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

85V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IXYS

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

212nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12493pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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