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70V657S15BF

70V657S15BF

僅供參考

型號 70V657S15BF
PNEDA編號 70V657S15BF
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V657S15BF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V657S15BF
類別半導體內存IC內存

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70V657S15BF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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制造商

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內存類型

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EEPROM

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TBGA (12x18)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (64M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

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