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70V659S12DRGI

70V659S12DRGI

僅供參考

型號 70V659S12DRGI
PNEDA編號 70V659S12DRGI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V659S12DRGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V659S12DRGI
類別半導體內存IC內存

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70V659S12DRGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (256M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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