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75101H

75101H

僅供參考

型號 75101H
PNEDA編號 75101H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

75101H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號75101H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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75101H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

20dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

18dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

增益

11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

9.4dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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6.5dB

功率-最大

1000W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

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