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AO4435L_101

AO4435L_101

僅供參考

型號 AO4435L_101
PNEDA編號 AO4435L_101
描述 MOSFET P-CH
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AO4435L_101資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AO4435L_101
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AO4435L_101, AO4435L_101數據表 (總頁數: 11, 大小: 390.76 KB)
PDFAO4435L_101數據表 封面
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AO4435L_101規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 20V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 196µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

275nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

310W (Tc)

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