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AOT8N80L

AOT8N80L

僅供參考

型號 AOT8N80L
PNEDA編號 AOT8N80L
描述 MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOT8N80L資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOT8N80L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOT8N80L, AOT8N80L數據表 (總頁數: 6, 大小: 367.86 KB)
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AOT8N80L規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.63Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)245W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

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