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APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

僅供參考

型號 APT25GR120SD15
PNEDA編號 APT25GR120SD15
描述 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GR120SD15資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GR120SD15
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT25GR120SD15規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 25A
功率-最大521W
開關能量742µJ (on), 427µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)16ns/122ns
測試條件600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝D3Pak

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

320µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/110ns

測試條件

480V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.5V @ 15V, 12A

功率-最大

310W

開關能量

3.56mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

56nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/167ns

測試條件

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

16ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

125W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

312.5W

開關能量

1.72mJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63.5nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/77ns

測試條件

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

138ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

13.6nC

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20ns/390ns

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800V, 4A, 120Ohm, 15V

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